美机构发布报告：中国芯片产能自给率已达70%，但受限于光刻机禁运，短时间内无法实现完全自主

前沿导读 据电子工程专辑指出，美国机构高盛发布有关中国半导体产业的研究报告，截止到2026年上半年，中国芯片产业的产能自给率已经达到了70%，相比2010年的38%大幅度提升。但是受限于光刻机等先进设备的出口管制，中国芯片在短时间内难以实现完全自给自足的目标。 产能自给率 虽然产能自给率提升明显，但是换算成单颗芯片的产值，缺口仍然很大。 产量规模会把成熟制程、逻辑芯片、功率器件、模拟芯片、MCU、驱动IC、电源管理都算进去，而我国半导体产业过去几年主要扩产的就是这些市场规模庞大的成熟芯片产品。 中芯国际、华虹集团、晶合集成这三家中国本土晶圆厂都具备自主可控的22nm、28nm及以上成熟工艺的技术平台，这些制程技术足够覆盖汽车、工业、家电、光伏逆变器、传感器等产业所需的芯片产品，也大幅度提升了中国芯片在各行各业内的产品自给率。 但是在7nm及以下先进工艺节点，尤其是先进SOC、CPU、GPU、HBM等产品领域，仍由台积电、三星、英特尔、SK海力士、美光等国际巨头所主导。这种芯片的单价高、毛利高，整个产业链也因此获得了大量经济收入。 我国半导体产业在成熟芯片领域的规模庞大，但是在先进芯片领域的规模较小，只能满足少部分企业的需求，而且还面临着来自于西方持续收紧的出口管制政策，这完全是一场硬仗。 据腾讯财经《研报精选》栏目指出，截至到2025年，中国大陆地区拥有29座8英寸晶圆厂和50座12英寸晶圆厂（含逻辑晶圆+存储晶圆），月产能累计达591.6万片（等效8英寸），在规划中总产能达986.5万片，占全球产能约20%。 如果只看逻辑芯片的代工部分，中芯国际、华虹集团以及晶合集成三家企业分别在全球晶圆代工厂排名当中位列第三、第五、第九名的成绩，合计市占率达7.9%。 按尺寸拆分来看，8英寸月产能约为148万片，12英寸月产能约为197万片。 按工艺拆分来看，110nm及以上制程占比约30%、90nm-28nm制程占比约68.3%，14nm及以下制程占比约1.7%。 由此可见，国产晶圆厂制造的成熟芯片，不只是我们半导体产业的主心骨，而且还是满足我们其他产业所需芯片的重要来源地。 但是在14nm及以下工艺的芯片产品中，我们已经具备了一定数量的制造规模，但是受限于西方出口管制对进口设备的封锁，导致我们的先进芯片产业无法跟成熟芯片一样顺利扩大规模。 此前国内的芯片企业考虑经济因素，不愿主动尝试采用国产设备制造芯片。但是现在出于供应链安全的考量，下游制造商主动与上游设备企业合作开展国产设备的技术验证。相较于考虑经济因素，安全因素才是最大问题。 技术瓶颈 据报道指出，高盛机构认为先进光刻设备是制约中国半导体产业实现完全自主的核心瓶颈。虽然中国在DUV设备上有所进展，但是这些设备不足以支撑最先进的芯片制造。缺少先进设备的稳定供应，即便整体芯片产能快速增长，也难以转化为革命性的产业突破。 没有EUV，还可以采用先进的DUV通过多重图案化技术制造先进芯片，但付出的代价是更多的制造步骤、更复杂的技术方法、更高的制造成本。步骤多、技术复杂所带来的问题就是缺陷率上升、良率和吞吐下降、单位晶圆成本上升。 缺少EUV，并不会让中国前沿芯片的发展出现停滞。先进封装、混合键合、华为主导的逻辑折叠技术都是建立在没有EUV技术的前提下，继续提升芯片性能的方法。 但是如今行业内已经量产了2nm GAA晶体管结构的先进芯片，其芯片性能、能效水平、规模化能力都处于最前沿的水平，这种先进制程所带来的经济效益依然很高。 对于ai产业的算力芯片来说，制程落后一两代，意味着同面积晶体管少、同功耗算力低、同算力成本高。 而华为开发的超节点技术则是通过堆叠大量的老工艺芯片，以集群数量优势来弥补单颗芯片性能落后的劣势。性能提升上去了，但功耗也大幅度增加，所以就需要在散热系统、能源供应上面下功夫。 没有最前沿的技术设备，也可以通过其他方法解决先进芯片的应用场景，但是所付出的代价也要更大。 对于中国半导体产业来说，既不能盲目追逐最前沿、最困难的设备开发，也不能因为先进技术的开发放弃成熟芯片的发展，而是需要多条路同时发展。 第一条路就是成熟制程持续推进，在28nm/22nm及以上的特色工艺、车规、工业、功率、模拟芯片的制造上，继续提高国产设备的比例和规模化应用，用自主可控的国产设备保证成熟芯片产业的稳定发展。 第二条路就是继续在DUV光刻机的制造基础上开发新技术，用新的材料、新的架构设计来提升国产先进芯片的性能水平，避免被国际对手将差距越来越大。 第三条路则是解决最为困难的EUV问题，相对于其他制造设备，EUV的制造量产不但高度集中于ASML这一家企业身上，而且ASML已经联合全球顶级供应链形成的技术生态，这种制造唯一性和高度集中性，也让中国企业的国产EUV光刻机项目受到了国内外重点关注。 特别