中国初创公司推出首款极紫外光源原型机，荷兰公司表示不感到担忧

在芯片制造的“皇冠”上，极紫外（EUV）光刻机无疑是那颗最耀眼的明珠。 而在EUV光刻机内部，有一个被称为“心脏”的核心部件——EUV光源。近日，在上海举办的第26届中国国际工业博览会上，一家名为Langdao Silex的中国科技初创企业，展出了其EUV光源原型机“FlintNano LPP-OXXO”。 公司称，该系统大部分核心部件为自主研发，国产化率约达90%。 一束光，为何如此难造 要理解这一进展的意义，先得了解EUV光是怎么“造”出来的。 目前业界主流采用的是“激光等离子体”（LPP）技术，荷兰光刻机巨头ASML也采用这一基本路线。简单来说，就是用高功率激光精准轰击微小的锡液滴，使其瞬间变成高温等离子体，从而辐射出波长极短的极紫外光。 这个过程需要在每秒数万次的频率下稳定进行，对激光器、液滴发生器、真空系统和收集镜的要求都达到了极致。 正因为技术难度极高，EUV光源长期被视为光刻机产业链中最难攻克的环节之一。 原型机的关键参数 根据公开资料，这台原型机的驱动激光输出功率为1000瓦，重复频率为1至20千赫兹，转换效率超过2%。 其EUV输出功率为15瓦或更高，可连续运行100小时以上。此外，等离子体尺寸为60微米，等离子体稳定性为3%（均方根），能量稳定性约为5%。 公司代表表示，该系统目前的运行水平已可用于晶圆曝光测试。 需要指出的是，商用EUV光刻机的光源功率通常达到数百瓦级别，才能满足大规模量产的产能需求。 15瓦的输出功率，与之仍有一个数量级以上的差距。这也意味着，这台原型机更适合用于研发和测试，而非直接投入量产。 从参数上看，转换效率、连续运行时长和稳定性指标，都是衡量EUV光源能否走向实用的关键。能稳定运行上百小时，说明系统在可靠性方面已迈出重要一步。 不过，原型机参数是在特定条件下测得的，距离满足晶圆厂全天候、高良率生产的严苛要求，仍需长时间验证。 追赶ASML，还隔着几座大山 Langdao Silex预计，距离大规模商业化生产还需要3至5年。 但外媒分析认为，这一预期偏于乐观，即便一切顺利，可能也需要8至10年。更重要的是，光源只是EUV光刻机的一个部件。 ASML的EUV光刻机由数十万个零部件构成，背后是800多家合作伙伴组成的庞大供应链。 超精密光学系统、高速高精度的晶圆工作台，以及将所有子系统整合在一起的系统集成能力，都是横亘在中国企业面前的难关。蔡司公司首席执行官此前估计，中国要达到西方EUV技术水平，大约还需要15年。 外媒同时指出，中国的深紫外（DUV）光刻设备目前也尚难与ASML正面竞争。 封锁之下的“倒逼式创新” 近年来，在美国主导的出口管制下，ASML的EUV光刻机无法出口到中国，先进DUV设备的对华销售也受到越来越多限制。 外媒分析认为，ASML近期面临的更大风险，可能来自美国对其DUV设备对华销售的进一步限制，而中国市场约占其年销售额的两成左右。而限制越多，中国加快自主研发的动力往往就越强。 此前已有报道称，中国在EUV相关原型和试产方面取得了一定进展。此次初创企业公开展示光源原型，说明这一领域的民间创新力量也在积极入场。 对于这一进展，既不宜妄自菲薄，也不必过度拔高。一方面，从无到有地做出可运行的EUV光源原型，本身就意味着跨越了一道重要的技术门槛。 另一方面，从实验室原型到稳定量产，从单一部件到整机集成，中间还有大量工程难题需要逐一攻克。 半导体产业的规律表明，关键设备的突破往往需要十年以上的持续投入，以及整条产业链的协同进步。ASML本身的EUV技术，也是在全球多国企业与科研机构数十年合作的基础上才走向成熟的。 值得关注的是，除了LPP路线，全球范围内也有研究机构在探索基于粒子加速器的自由电子激光等新型EUV光源方案。技术路线的多样化，或许会为后来者提供“换道”的机会。 对中国来说，EUV光源原型机的亮相，是一个值得关注的信号，但远不是终点。 在这场关乎未来科技主导权的长跑中，比拼的不只是速度，更是耐力。 特别